RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2553
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link