RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1966
2489
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link