RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
40
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2089
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link