RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
3691
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link