RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
40
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
3314
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link