RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
3075
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link