RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
3075
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link