RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2266
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link