RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3411
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link