RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
76
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
76
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
1809
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link