RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
65
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
1824
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link