RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3421
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link