RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2831
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link