RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
89
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
89
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
1571
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link