RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3691
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link