RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
23
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3722
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link