RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2967
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link