RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3835
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link