RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
43
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3304
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link