RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3559
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link