RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3032
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link