RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
47
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2640
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link