RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2893
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link