RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2823
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link