RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
74
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
74
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1849
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link