RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2871
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link