RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3792
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link