RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
25
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3726
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link