RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3963
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link