RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3132
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link