RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2978
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link