RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2438
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link