RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
25
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3127
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link