RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2967
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link