RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3576
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link