RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
85
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
85
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1118
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link