RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2913
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link