RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2202
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link