RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
59
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3046
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link