RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3807
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link