RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
59
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3623
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston KHX16 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link