RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2636
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link