RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3010
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link