RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3040
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingston 99U5402-462.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link