RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2891
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link