RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
59
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2965
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link