RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3199
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link