RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2503
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link