RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3259
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link