RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3596
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link