RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2356
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link